MOS管和三极管有什么区别?

MOS管是基于金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管，它的控制电压作用于氧化物层，通过调节栅极电势来控制源漏电流。MOS管是FET中的一种，现主要用增强型MOS管，分为PMOS和NMOS。

MOS管的三个极分别是G(栅极)，D(漏极)，S(源极)。

三极管是基于PN结的二极管，是一种双极型晶体管，三级管内部有两个PN结，分别为集电结和发射结，它通过控制发射结的电流来调节集电极的电流。

三极管的三个极分别是B(基极)，C(集电极)，E(发射极)；

MOS管是电压控制的元件，而三级管是电流控制的元件。

三极管的be极之间可以理解为存在一个二极管，这也就产生了一个电流的通路，当给三极管施加高电平时，be之间会产生一个持续的电流，此时三极管被打开；高电平消失，电流也瞬间消失了，三极管也会关闭;由于维持三极管打开的必要条件就是三极管be之间存在着连续电流，所以三极管也被称之为电流控制元件。

而对于MOS管来说，栅极G和源极S之间是不存在通路的，他们之间仅存在一个寄生电容，当给栅极施加高电平时，会在一开始产生一个给寄生电容充电的电流，但除此之外，并不存在其他的电流，他只需要维持栅极和源极之间的电压差，MOS管就可以导通，甚至因为该寄生电容的存在，当我撤走了栅极G的高电平，接在漏极D的小灯泡仍然是亮着的，直到寄生电容上的电荷消耗完为止，MOS管才会关闭，这就是被称为电压控制元件的原因。

三极管和MOS管的区别主要体现方面：

控制原理：MOS管用电压控制，三极管用电流控制。三极管是电流驱动的，即通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流；MOS管是电压驱动的，通过控制栅极和源极之间的电压来控制漏极电流。

输入阻抗：三极管的输入阻抗相对较低，而MOS管的输入阻抗通常很高。

成本：三极管通常成本较低，MOS管成本较高。

功耗：三极管的功耗相对较大，MOS管的功耗较小。

输入电流：三极管工作时基极总要吸取一定的电流，而MOS管的栅极几乎不取电流。

驱动能力：三极管适用于数字电路开关控制，MOS管适用于高频高速电路和大电流场合。

应用场景：三极管一般运用在低频的小功率电路，MOS管一般可以运用在高频大功率电路上。

备注：只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。

三极管和MOS管的区别方法

用万用表的二极管档（或1k~10k电阻档）测量，三极管的发射极e和集电极c都对基极b单向导通，而发射极e和集电极c之间互不导通；利用这一点可以确定是否三极管以及类型（PNP管或NPN管）；

场效应管（MOS管）则比较复杂，增强型和耗尽型的特点都不一样，但是栅极对源极和漏极一定是不导通的。