什么是MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率MOSFET的内部结构和电气符号，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

关于N沟道 功率MOEFET FCP190N60

安森美深力科FCP190N60是利用电荷平衡技术实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结 (SJ)MOSFET 系列产品。用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、 dv/dt 额定值和更高雪崩能量。FCP190N60非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器 /电信电源、平板电视电源、 ATX 电源及工业电源应用。

特性：

1. 650V @TJ = 150°C
2. •最大值 RDS(on) = 199mΩ
3. •超低栅极电荷（典型值Qg = 57nC )
4. •低有效输出电容（典型值Coss.eff = 160pF )
5. •100% 经过雪崩击穿测试
6.  符合RoHS标准

应用领域：

1. LCD /LED IPDP 电视照明
2. 太阳能逆变器
3. 功率因数校正(PFC)
4. 服务器/电信电源
5. 平板电视电源
6. ATX 电源及工业电源应用