1.产品概述
PT2052A 是一款单通道触摸检测芯片。该芯片内建稳压电路，提供稳定电压给触摸感应电路使用，同时内部集成高效完善的触摸检测算法，使得芯片具有稳定的触摸检测效果。该芯片专为取代传统按键而设计，具有宽工作电压与低功耗的特性，可广泛地满足不同消费类应用的需求。
2. 主要特性
工作电压范围：2.4~5.5V
工作温度范围：-40~85℃
抗干扰性能优良：内置稳压电路、上电复位、低压复位功能及环境自适应算法等多种措施
低功耗工作模式：典型值 2uA@VDD=3V/无负载
低速工作模式：典型值 6uA@VDD=3V/无负载
工作模式可程控，支持低速模式与低功耗模式程控（LPM）切换
按键最长响应时间：低速模式下约<70ms@VDD=3V
可接外部电容（1~50pF）调整触摸灵敏度
NMOS 输出（QD）,低电平输出有效
按键最长输出时间：16 秒（±30%）
上电约 0.4 秒的初始化时间，此期间内不要触摸检测点，且此时所有功能被禁止
HBM ESD：大于 2KV
封装形式：SOT23-6、DFN2*2-6L
3. 系统框图
4. 封装及引脚说明
注：引脚布局与 SOT23-6 反向
表 1 引脚说明表
| SOT23-6 | DFN2x2-6L | 管脚名称 | I/O类型 | 描述 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 3 | QD | O | 输出脚，NMOS输出 |
| 2 | 2 | VSS | P | 地 |
| 3 | 1 | TCH | I | 触摸感应输入 |
| 4 | 6 | NC | - | - |
| 5 | 5 | VDD | P | 电源 |
| 6 | 4 | LPM | I-PL | 低功耗模式选择（非预置项，可程控）0（默认值）：低速模式；1：低功耗模式 |
引脚类型：
I：CMOS 输入
O：NMOS 输出
I/O：CMOS 输入/输出
P：电源/接地
I-PH： CMOS 输入内置上拉电阻
I-PL： CMOS 输入内置下拉电阻
5.功能描述
5.1 输出模式和选项脚位
LPM 脚位：选择低速工作模式或低功耗模式
工作模式分为低功耗模式、低速模式、快速模式
工作模式切换时序如下
表 2 工作模式扫描间隔
| 模式 | 扫描间隔时间 | 备注 |
|---|---|---|
| 低功耗模式 | 140mS | |
| 低速模式 | 40mS | 可响应双击应用需求 |
| 快速模式 | 10mS | 可响应双击应用需求 |
5.2 按键最长输出时间
若有物体覆盖触摸盘或环境突然变化，可能导致触摸检测持续有效。IC 内部触控算法检测到输出有效持续时间达到设定值 16S（±30%）时，系统会回到上电初始状态，且输出变为无效。
5.3 模式实时切换
PT2052A 在低速模式下运行，可实时响应双击触摸。在此模式下侦测到 LPM 拉高后会切换到低功耗模式，可节省功耗。在低功耗模式下侦测到 LPM 拉低后又可以切换到低速模式。
5.4 灵敏度调整
IC 触摸管脚上的等效电容大小会影响灵敏度，灵敏度调整必须符合 PCB 的实际应用，下面是一些调整灵敏度的方法：
- 调整触摸盘大小：
在其它条件不变的情况下，使用较大的触摸盘尺寸可增加灵敏度，反之则会降低灵敏度；但触摸盘尺寸必须在有效范围内。 - 调整介质面板厚度：
在其它条件不变的情况下，使用较薄的介质可增加灵敏度，反之则会降低灵敏度。 - 调整 Cs 电容值
在其它条件不变的情况下，触摸盘上未接对地 Cs 电容时，灵敏度最高，反之 Cs 电容越大灵敏度变低，Cs 电容可用范围：（1≦Cs≦50pF）。
6. 应用电路
注：
- 在 PCB 上从触摸盘到 TCH 脚的走线越短越好，且触摸走线与其它走线不得平行或交叉。
- 电源供电必须稳定，若电源电压发生快速漂移或跳变，可能造成灵敏度异常或误检测。
- 覆盖在 PCB 上的介质，不得含有金属或导电组件成份﹐表面涂料亦同样要求。
- 必须在 VDD 和 GND 间使用 C1 电容（104 或更大容量）；且应采取与 IC 的 VDD 和 GND 管脚最短距离布线。
- 可利用 Cs 电容调整灵敏度，Cs 电容值越小灵敏度越高，灵敏度调整必须根据实际应用的 PCB来做调整，Cs 电容值的范围为 1~50pF。
- 调整灵敏度的电容（Cs）必须选用较小的温度系数及较稳定的电容器，如 X7R、NPO。针对触摸应用，建议选择 NPO 电容器，以降低因温度变化而影响灵敏度。
7. 电气特性
7.1 电气特性极限参数
表 3 极限参数
| 参数 | 标号 | 条件 | 范围 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 供电电压 | VDD | - | -0 to +5.5 | V |
| 输入电压 | VI | 所有 I/O口 | -0.3 to VDD+0.3 | V |
| 工作温度 | TA | - | -40~ +85 | ℃ |
| 储藏温度 | TSTG | - | -50~ +125 | ℃ |
| 芯片抗静电强度HBM | ESD | 2 | KV |
7.2 直流特性
表 4 如无特殊说明 VDD=2.4V~5.5V，Temp=25ºC
| 参数 | 标号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 工作电压 | VDD | 2.4 | 3 | 5.5 | V | |
| 输入高电压 | VIH | VDD=5V,LPM | 0.4*VDD | 1.0*VDD | V | |
| 输入低电压 | VIL | VDD=5V,LPM | 0 | 0.15*VDD | V | |
| 输出拉电流 | IOH | VDD=3V, VOH=2.1V | 2 | mA | ||
| 输出灌电流 | IOL | VDD=3V, VOL=0.9V | 15 | mA | ||
| 下拉电阻 | RPL | VDD=3V（LPM） | 24 | 30 | 36 | Kohm |
| 输出响应时间 | TR | VDD=3V、快速模式 | 40 | ms | ||
| VDD=3V、低速模式 | 70 | ms | ||||
| VDD=3V、低功耗模式 | 200 | ms | ||||
| 工作电流 | ISB | VDD=3V，低功耗模式（无负载） | 2 | 2.5 | uA | |
| VDD=3V，低速模式（无负载） | 6 | 8 | uA | |||
| VDD=3V，快速模式（无负载） | 20 | 25 | uA |
