1.带隙基准原理：
带隙基准电压源采用BJT，利用其基极-发射极电压的负温度系数和两个不同的BJT基极-发射极电压之差的正温度系数用于获得温度系数为零的基准电压源，因为最终计算的输出电压接近硅晶体的一个带隙电压，所以被称为带隙基准源。
2.带隙基准电压的主要性能指标
带隙基准的主要性能指标：精度，温度系数，功耗，电源抑制比，启动时间和输出噪声
（1）精度：基准电压源的精度是指设备上电后所输出的电压与标准值之间的偏差。通常在无负载状态下进行检测。
（2）温度系数TC：温度每变化1℃时，输出电压会相应变化百万分之一。其测量单位为ppm/℃（ppm：百万分之一），表征输出电压与单位温度变化的比率。温度系数是衡量基准电路性能的一个至关重要的参数。
计算公式：
（3）功耗：电路正常工作时，衡量电路元器件所消耗能量的参数
（4）电源抑制比（PSRR）：表示从电源电压侧到基准电压输出的小信号增益。为了评估基准电路的抗干扰能力，通常采用电源抑制比，单位为分贝，dB
计算公式为：
（5）启动时间：启动时间是指电源接通后基准源输出电压达到正常工作电压所需时间，通常为微秒（us）级别
（6）输出噪声：输出电压噪声由热噪声和窄带1/f噪声组成
3.带隙电压基准的基本原理
带隙电压基准的基本原理是通过适当的电路设计获得正温度系数（PTAT）和负温度系数（CTAT）电压或电流。然后，PTAT和CTAT电压或电流由不同的电压（或电流）求和电路进行求和，使得输出电压或电流基准具有零温度系数
双极型晶体管BJT两个特性：
（1）温度升高，双极晶体管的基极——发射极电压（VBE）将下降，呈现负温度系数特征
（2）当两个同类型的双极型晶体管分别处于不同的集电极下时，它们的基极——发射极电压差与温度成正比关系
