FLASH具有以下主要特性容量高达512 KBytes(其中有32Bytes为功能保留位) 分为64个扇区每个扇区为8KBytes。OTP(One Time Program)区域共1020Bytes分为960Bytes的数据区和60Bytes 的锁存区。128位宽数据读取。编程单位为4Bytes擦除单位为8KBytes。在512KB产品中FLASH地址结构如下图所示。注意 - 扇区63 中地址 0x0007_FFE0~0x0007_FFFF 共 32Bytes 为功能保留地址对这 32Bytes地址进行编程、扇区擦除、全擦除FLASH数据不会改变对这些地址读读到 数据为全1。在256KB产品中FLASH地址结构如下图所示。代码采用官方数据库案例EFM扇区擦除单编程单编程回读。需要开启LL_EFM_ENABLE——DDL_ON修改后代码如下注释/* 读取Flash中保存的压力补偿值 */ int EFM_ReadValue(void) { /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */ LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE); /* 等待Flash就绪 */ while (SET ! EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY)); /* EFM_FWMC写入启用 */ EFM_FWMC_Cmd(ENABLE); /* 扇区13区范围0x00018000 ~ 0x00019FFF */ u32Addr EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM); EFM_ReadByte(u32Addr, (uint8_t *)u32ReadData1, sizeof(PressData)); /* EFM_FWMC写入禁用 */ EFM_FWMC_Cmd(DISABLE); usb_printf(Press Com_value : %d pa\r\n, u32ReadData1); return (int)u32ReadData1; } /* 读取Flash中保存的占空比 */ int EFM_ReadRatio(void) { /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */ LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE); /* 等待Flash就绪 */ while (SET ! EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY)); /* 启用EFM_FWMC写入 */ EFM_FWMC_Cmd(ENABLE); /* 扇区13区范围0x00018000 ~ 0x00019FFF */ u32Addr EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM) 32; EFM_ReadByte(u32Addr, (uint8_t *)u32ReadData2, sizeof(RatioData)); /* EFM_FWMC写入禁用 */ EFM_FWMC_Cmd(DISABLE); usb_printf(duty cycle : %d %\r\n, u32ReadData2); return (int)u32ReadData2; } /* 往Flash里保存数据 */ void EFM_WriteData(void) { uint32_t PressData value; uint32_t RatioData ratio; /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */ LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE); /* 等待Flash就绪 */ while (SET ! EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY)); /* EFM_FWMC写入启用 */ EFM_FWMC_Cmd(ENABLE); /* 删除扇区13 13区范围0x0001a000 ~ 0x0001bFFF */ u32Addr EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM); (void)EFM_SectorErase(u32Addr);/* EFM扇区擦除 */ /* 把压力补偿值写到13扇区的闪存 */ while(LL_OK ! EFM_ProgramWordReadBack(u32Addr, PressData)); /* 移动指向13扇区闪存的目标地址继续写入数据 */ u32Addr 32; /* 把占空比写到13扇区的闪存 */ while(LL_OK ! EFM_ProgramWordReadBack(u32Addr, RatioData)); /* EFM_FWMC写入禁用 */ EFM_FWMC_Cmd(DISABLE); /* 为某些必需的外围设备注册写保护 */ LL_PERIPH_WP(EXAMPLE_PERIPH_WE); usb_printf(Com_value setting %d pa\r\n, PressData); usb_printf(duty ratio setting %d %\r\n, RatioData); }切记往Flash存储器保存新数据时需要考虑扇区的对齐和数据管理。Flash存储器的读写操作通常是以扇区为单位进行的每个扇区的大小通常是固定的。因此在写入新数据之前需要确保目标位置是在扇区的边界之内否则可能会导致数据写入错误或损坏。此外为了防止在写入新数据时误删自己的程序或其他重要数据建议在写入新数据之前先备份程序或其他重要数据。同时在写入新数据之前也需要确保目标位置没有其他重要的数据以避免误删其他数据。最后在写入新数据时也需要按照Flash存储器的读写规范进行操作避免不当的操作导致Flash存储器的损坏或数据丢失。建议在使用Flash存储器之前先仔细阅读相关技术文档或参考手册并遵循正确的操作步骤。 
长河君 · 2026/10/11 1:18:18 · 阅读 1.2k 华大HC32F460——将数据保存在Flash特定扇区
FLASH具有以下主要特性容量高达512 KBytes(其中有32Bytes为功能保留位) 分为64个扇区每个扇区为8KBytes。OTP(One Time Program)区域共1020Bytes分为960Bytes的数据区和60Bytes 的锁存区。128位宽数据读取。编程单位为4Bytes擦除单位为8KBytes。在512KB产品中FLASH地址结构如下图所示。注意 - 扇区63 中地址 0x0007_FFE0~0x0007_FFFF 共 32Bytes 为功能保留地址对这 32Bytes地址进行编程、扇区擦除、全擦除FLASH数据不会改变对这些地址读读到 数据为全1。在256KB产品中FLASH地址结构如下图所示。代码采用官方数据库案例EFM扇区擦除单编程单编程回读。需要开启LL_EFM_ENABLE——DDL_ON修改后代码如下注释/* 读取Flash中保存的压力补偿值 */ int EFM_ReadValue(void) { /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */ LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE); /* 等待Flash就绪 */ while (SET ! EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY)); /* EFM_FWMC写入启用 */ EFM_FWMC_Cmd(ENABLE); /* 扇区13区范围0x00018000 ~ 0x00019FFF */ u32Addr EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM); EFM_ReadByte(u32Addr, (uint8_t *)u32ReadData1, sizeof(PressData)); /* EFM_FWMC写入禁用 */ EFM_FWMC_Cmd(DISABLE); usb_printf(Press Com_value : %d pa\r\n, u32ReadData1); return (int)u32ReadData1; } /* 读取Flash中保存的占空比 */ int EFM_ReadRatio(void) { /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */ LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE); /* 等待Flash就绪 */ while (SET ! EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY)); /* 启用EFM_FWMC写入 */ EFM_FWMC_Cmd(ENABLE); /* 扇区13区范围0x00018000 ~ 0x00019FFF */ u32Addr EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM) 32; EFM_ReadByte(u32Addr, (uint8_t *)u32ReadData2, sizeof(RatioData)); /* EFM_FWMC写入禁用 */ EFM_FWMC_Cmd(DISABLE); usb_printf(duty cycle : %d %\r\n, u32ReadData2); return (int)u32ReadData2; } /* 往Flash里保存数据 */ void EFM_WriteData(void) { uint32_t PressData value; uint32_t RatioData ratio; /* 为某些必需的外围设备注册写启用 */ LL_PERIPH_WE(EXAMPLE_PERIPH_WE); /* 等待Flash就绪 */ while (SET ! EFM_GetStatus(EFM_FLAG_RDY)); /* EFM_FWMC写入启用 */ EFM_FWMC_Cmd(ENABLE); /* 删除扇区13 13区范围0x0001a000 ~ 0x0001bFFF */ u32Addr EFM_SECTOR_ADDR(EFM_SECTOR13_NUM); (void)EFM_SectorErase(u32Addr);/* EFM扇区擦除 */ /* 把压力补偿值写到13扇区的闪存 */ while(LL_OK ! EFM_ProgramWordReadBack(u32Addr, PressData)); /* 移动指向13扇区闪存的目标地址继续写入数据 */ u32Addr 32; /* 把占空比写到13扇区的闪存 */ while(LL_OK ! EFM_ProgramWordReadBack(u32Addr, RatioData)); /* EFM_FWMC写入禁用 */ EFM_FWMC_Cmd(DISABLE); /* 为某些必需的外围设备注册写保护 */ LL_PERIPH_WP(EXAMPLE_PERIPH_WE); usb_printf(Com_value setting %d pa\r\n, PressData); usb_printf(duty ratio setting %d %\r\n, RatioData); }切记往Flash存储器保存新数据时需要考虑扇区的对齐和数据管理。Flash存储器的读写操作通常是以扇区为单位进行的每个扇区的大小通常是固定的。因此在写入新数据之前需要确保目标位置是在扇区的边界之内否则可能会导致数据写入错误或损坏。此外为了防止在写入新数据时误删自己的程序或其他重要数据建议在写入新数据之前先备份程序或其他重要数据。同时在写入新数据之前也需要确保目标位置没有其他重要的数据以避免误删其他数据。最后在写入新数据时也需要按照Flash存储器的读写规范进行操作避免不当的操作导致Flash存储器的损坏或数据丢失。建议在使用Flash存储器之前先仔细阅读相关技术文档或参考手册并遵循正确的操作步骤。