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LM3481MM/NOPBLM3481MM/NOPB 是德州仪器Texas Instruments的一款广泛应用的DC-DC控制器常用于电源管理应用特别是在需要升压boost、反激flyback、SEPIC或反向配置的场合。LM3481MM/NOPB 通过电流模式 PWM 控制器适用于各种 DC-DC 转换器拓扑如升压Boost、反激Flyback、SEPIC 和反向Inverting转换器。它的工作原理基于对电流进行控制和调节以实现所需的输出电压和电流。工作原理概述电流模式控制电流感应通过感应电阻Rsense检测电感电流。当开关通常是MOSFET导通时电流流经电感和Rsense产生一个与电流成比例的电压信号。误差放大器比较输出电压与参考电压Vref的误差并生成一个误差电压Verr。PWM控制Verr与电流感应信号Vsense进行比较决定PWM的占空比。这个比较结果决定了开关MOSFET的导通时间从而调节输出电压。工作过程详解启动过程当输入电压Vin超过欠压锁定阈值时控制器启动。内部软启动电路限制初始启动时的电流以避免电流浪涌。正常运行电感电流上升在开关MOSFET导通期间电感电流上升能量存储在电感中。电感电流下降当PWM控制信号关断MOSFET时电感中的能量通过续流二极管释放到负载和输出电容上输出电压上升。电流检测与调节电感电流通过Rsense检测产生电流感应信号。这个信号与误差放大器输出的误差电压进行比较调节PWM占空比以稳定输出电压。升压转换器简化图(Boost)在连续导通模式下此时电感器电流在稳态下从不会达到零升压稳压器将以两个周期运行。在第一个工作周期中MOSFET Q 导通并且能量存储在电感器中。在此周期中二极管 D1 反向偏置负载电流由输出电容器 COUT 提供。在第二个周期中MOSFET Q 关断并且二极管正向偏置。存储在电感器中的能量传输到负载和输出电容器。这两个周期的比率决定了输出电压。输出电压定义如下V O U T V I N 1 − D (忽略MOSFET和二极管上的压降) V_{OUT}\frac{V_{IN}}{1-D} \tag{忽略MOSFET和二极管上的压降}VOUT1−DVIN(忽略MOSFET和二极管上的压降)或 V O U T V D 1 − V Q V I N − V Q 1 − D 或V_{OUT}V_{D1}-V_{Q}\frac{V_{IN}-V_{Q}}{1-D}或VOUTVD1−VQ1−DVIN−VQD 是开关的占空比高电平在整个周期中的比例VD1 是二极管的正向压降VQ 是 MOSFET 导通时的压降。以下各节介绍了升压转换器的元件选择。说明书17页芯片框图Layer 1UVLOUVLOUnder-Voltage Lockout即欠压锁定。如果电源电压低于设定的阈值UVLO机制会关闭或禁用电路。FA/SYNC/SDUVLO多功能引脚COMPFBCOMP引脚补偿引脚通常用于连接补偿网络FeedbackISEN电压过压保护 (OVP)反馈引脚EAError Amplifier差分放大器-1.275VSoftstart1.275V参考电压促使FB输入为1.275V。-反馈电压上升到VFB VOVPAGND---电流限制PMWSCP (Short CircuitSUM-Protection) - 短路保护CL (Current Limit)Shtudown DetectSNYC/Freqency detectOscillator振荡器Slope CompensationLOGICVSCVSENSEVFBVOVP,触发 OVPGDVCCRegulatorDRVINVCCRGNDOVPTSDISIOPE40uA手工实现LM3481高效变压器升压模块v1通过一个变压器进一步放大电压TPH1R403NL为1个N沟道耐压30V电流150A的Power MOSFETCG说明书 
长河君 · 2026/9/9 13:08:01 · 阅读 1.2k 电路笔记（电源模块） :DC-DC LM3481MM/NOPB升压模块，升压电路(Boost)
LM3481MM/NOPBLM3481MM/NOPB 是德州仪器Texas Instruments的一款广泛应用的DC-DC控制器常用于电源管理应用特别是在需要升压boost、反激flyback、SEPIC或反向配置的场合。LM3481MM/NOPB 通过电流模式 PWM 控制器适用于各种 DC-DC 转换器拓扑如升压Boost、反激Flyback、SEPIC 和反向Inverting转换器。它的工作原理基于对电流进行控制和调节以实现所需的输出电压和电流。工作原理概述电流模式控制电流感应通过感应电阻Rsense检测电感电流。当开关通常是MOSFET导通时电流流经电感和Rsense产生一个与电流成比例的电压信号。误差放大器比较输出电压与参考电压Vref的误差并生成一个误差电压Verr。PWM控制Verr与电流感应信号Vsense进行比较决定PWM的占空比。这个比较结果决定了开关MOSFET的导通时间从而调节输出电压。工作过程详解启动过程当输入电压Vin超过欠压锁定阈值时控制器启动。内部软启动电路限制初始启动时的电流以避免电流浪涌。正常运行电感电流上升在开关MOSFET导通期间电感电流上升能量存储在电感中。电感电流下降当PWM控制信号关断MOSFET时电感中的能量通过续流二极管释放到负载和输出电容上输出电压上升。电流检测与调节电感电流通过Rsense检测产生电流感应信号。这个信号与误差放大器输出的误差电压进行比较调节PWM占空比以稳定输出电压。升压转换器简化图(Boost)在连续导通模式下此时电感器电流在稳态下从不会达到零升压稳压器将以两个周期运行。在第一个工作周期中MOSFET Q 导通并且能量存储在电感器中。在此周期中二极管 D1 反向偏置负载电流由输出电容器 COUT 提供。在第二个周期中MOSFET Q 关断并且二极管正向偏置。存储在电感器中的能量传输到负载和输出电容器。这两个周期的比率决定了输出电压。输出电压定义如下V O U T V I N 1 − D (忽略MOSFET和二极管上的压降) V_{OUT}\frac{V_{IN}}{1-D} \tag{忽略MOSFET和二极管上的压降}VOUT1−DVIN(忽略MOSFET和二极管上的压降)或 V O U T V D 1 − V Q V I N − V Q 1 − D 或V_{OUT}V_{D1}-V_{Q}\frac{V_{IN}-V_{Q}}{1-D}或VOUTVD1−VQ1−DVIN−VQD 是开关的占空比高电平在整个周期中的比例VD1 是二极管的正向压降VQ 是 MOSFET 导通时的压降。以下各节介绍了升压转换器的元件选择。说明书17页芯片框图Layer 1UVLOUVLOUnder-Voltage Lockout即欠压锁定。如果电源电压低于设定的阈值UVLO机制会关闭或禁用电路。FA/SYNC/SDUVLO多功能引脚COMPFBCOMP引脚补偿引脚通常用于连接补偿网络FeedbackISEN电压过压保护 (OVP)反馈引脚EAError Amplifier差分放大器-1.275VSoftstart1.275V参考电压促使FB输入为1.275V。-反馈电压上升到VFB VOVPAGND---电流限制PMWSCP (Short CircuitSUM-Protection) - 短路保护CL (Current Limit)Shtudown DetectSNYC/Freqency detectOscillator振荡器Slope CompensationLOGICVSCVSENSEVFBVOVP,触发 OVPGDVCCRegulatorDRVINVCCRGNDOVPTSDISIOPE40uA手工实现LM3481高效变压器升压模块v1通过一个变压器进一步放大电压TPH1R403NL为1个N沟道耐压30V电流150A的Power MOSFETCG说明书