TVS管全称是Transient Voltage Suppressor， 即瞬态抑制器二极管， 其主要为硅材料， 是
二极管的一种引申工艺器件。 根据其应用的定义， 更多为涉及浪涌等大功率方面的测试， 因
此TVS管主要指SMAJ、 SMBJ及其以上封装（功率） 器件。
ESD全称为Electro Static discharge， 其指的是静电放电， 同时被引申为静电保护器件。 因
静电能量小， 一般指小封装， 静电保护器件因其内部结构构成， 又称TVS array。
以上情况为欧美品牌最初产品定义时的大致区分， 但随着国产品牌的兴起推广及市场对此
类产品的熟悉， TVS与ESD的界限在不断模糊化。
ESD测试功率较低， 因此ESD保护器件一般是小封装。 又因为其测试特点， 干扰路径非直
接线路耦合， 对保护器件要求不高， 因此高分子、 压敏等材料的过压保护器件， 也被称为ESD。
同理， EOS器件/浪涌保护器件， 也是根据其应用分类， 主要是大Ipp高容值物料。
1.金属氧化物压敏电阻(MOV/MLV)
MLV压敏电阻， 一般为金属氧化物， 为具有很宽范围的电流和电压保护能力， 适用从高压输电线路和雷电保护， 到小型ESD表
面贴装器件等应用领域。
但MLV的电容较大， 这意味着它们在高速信号线路保护方面的应用受到限制。 压敏电阻在遭受多次冲击后， 性能会有明显下降
（ 漏电流增大， 击穿电压偏移明显） ， 即使在远低于单次应力导致的损坏等级下也是如此。
2.高分子聚合物浪涌抑制器
高分子聚合物浪涌抑制器件为消弧器件， 且总是双向保护器件。 它们的电容低， 适合高速传输端口。 但是它们的短处是导通电
压高、 导通阻抗性能相对较差， 遭受多次应力时易于性能下降。
3.半导体二极管（ TVS、 TVS Array、 ESD）
ESD保护二极管被表征为低箝位电压、 低阻抗、 快速导通时间和更好的可靠性。 通常半导体二极管可以提供最好的ESD保护，
而且现在的二极管已经可以做到1pF甚至更低的等效电容， 因此已经成为可靠的ESD保护和良好的信号完整性的最佳选择。
半导体二极管拥有其它ESD防护产品所不具备的多用性——可选择单向和双向保护。 基本二极管是单向产品， 且是仅有的单向
保护元件。 串联结合两个二极管就能轻易地构成双向保护。 双向保护可通过共阴极或共阳极配置来实现。 使用一对单向TVS器
件便能实现双向保护性能。 市面上有多种基于双向二极管的TVS器件， 这些器件中的两个二极管均位于同一个封装， 甚至经常
集成在单个硅衬底上。
任何保护元件在正常工作期间必须作为高阻抗电路出现在受保护的输入端。 它所施加的电容负载必须尽可能
的小， 使得对正常的输入信号几乎没有影响。 然而,在过压的瞬间， 同一器件必须成为能量的主要通路， 把能量从被
保护器件的输入端转移出去。 此外， 保护器件的安全(standing-off)电压必须高于受保护端所允许的最大信号电压。
同样， 其箝位电压必须低到足以防止所保护的器件遭受损坏， 这是由于在瞬态发生期间， 输入端上的电压将是保护
器件的箝位电压
半导体二极管相对于其它器件的优势时， 击穿电压控制更低更精准， 箝位电压也会更低。 压敏电阻和聚合物器件在多次冲击后会有
老化现象（ 漏电流变大） ， 而半导体的可靠性则会更高。
同时在不对称敏感度的电路节点（ 如DC电源） ， 更适合单向保护器件， 仅有半导体二极管可做到此部分。
