轻掺杂漏极（LDD）是一种低能量、低电流的注入工艺，通过该工艺在栅极附近形成浅结，以减少靠近漏极处的垂直电场。对于亚微米MOSFET来说，LDD是必需的，以便抑制热电子效应，这种效应会导致器件退化并影响芯片的可靠性。热电子效应（或热载流子效应）发生在由于源/漏偏压和短沟道效应引起的电场垂直分量加速导致电子隧穿穿过超薄栅氧化层从漏极到栅极时。

随着特征尺寸的减小，这种注入的掺杂浓度已经增加，对于0.25微米以下的器件，剂量已经高到不能再被称为LDD的程度。因此，这个过程被重新命名为SDE（Source/Drain Extension）注入，它为高浓度的源/漏掺杂提供了一个缓冲区。SDE在IC芯片中具有最浅的结深，并且需要使用低能量的离子注入机。如图展示了CMOS IC芯片处理中的SDE注入工艺。

源/漏扩展（SDE）注入

简而言之，LDD和SDE都是为了改善MOSFET性能而设计的技术，特别是在减小器件尺寸的同时控制热载流子效应方面。随着技术的进步，这些工艺也在不断演进，以适应更精细的制造要求。